[发明专利]CMOS带隙基准源电路有效
| 申请号： | 201310166026.9 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103246310A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王本艳;张宁;冒杨雷 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子学领域，具体涉及一种CMOS带隙基准源电路，通过在传统的CMOS带隙基准源电路增设了两个一次项系数相反同时二次项系数为正的电阻，可抵消三极管的发射结电压的二次项负温系数。使其在一次项抵消的同时，正二次项项系数和三极管结电压负的二次项系数相抵消，从而使结电压的温度敏感度进一步降低，进而提高电路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS带隙基准源电路，其特征在于，包括：运放电路和输出电路；所述运放电路与所述输出电路并联；所述输出电路中包括第三三极管Q3、第三电阻R3和第四电阻R4，所述第三电阻R3和第四电阻R4串联后与所述第三三极管Q3的发射极连接；其中，所述第三电阻R3和第四电阻R4的二次项温度系数均为正值，且该第三电阻R3和第四电阻R4的一次温度系数相反。
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