[发明专利]第13族氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310167053.8 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390639B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 约翰尼斯·唐克斯;斯蒂芬·海尔;罗曼恩·德尔侯恩;汉·布鲁克曼 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底(10)、在所述衬底上的至少一个半导体层(12)，以及在所述至少一个半导体层上的欧姆接触(20)，所述半导体层包括第13族元素氮化物，所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分(22)以及与所述含硅部分相邻并且在其上方延伸的金属部分(24)，所述金属部分包括钛和另一种金属。本发明还公开了一种制造这种半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 13 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：硅衬底(10)；在所述衬底上的至少一个半导体层(12)，所述半导体层包括第13族元素氮化物；以及在所述至少一个半导体层上的欧姆接触(20)，所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分(22)以及与所述含硅部分相邻并且在其上方延伸的金属部分(24)，所述金属部分包括钛和另一种金属；其中所述欧姆接触(20)不包含金，其中所述含硅部分(22)包括第一含硅部分和与所述第一含硅部分横向隔开的第二含硅部分，其中所述金属部分(24)的一部分在所述第一含硅部分与所述第二含硅部分之间延伸，并且其中所述金属部分(24)完全包围所述第一含硅部分和所述第二含硅部分。
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