[发明专利]改进内部晶圆温度分布的装置有效
申请号: | 201310167328.8 | 申请日: | 2013-05-08 |
公开(公告)号: | CN103977981B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 许育嫣;古绍延;周俊利 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B08B3/10 | 分类号: | B08B3/10;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一些实施例涉及在晶圆清洁工具中提供均匀的晶圆温度分布而不在晶圆上引入不想要的颗粒的方法和装置。在一些实施例中,本发明的晶圆清洁工具具有被配置成用于容纳半导体晶圆的加工室。分配臂为半导体晶圆提供高温清洁溶液。加热杯在环绕半导体晶圆的周边的位置处设置在加工室内。加热杯产生热,该热使半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于半导体晶圆的中心的温度升高的量,从而使半导体晶圆的内部温度分布变均匀。本发明还提供了改进内部晶圆温度分布的装置。 | ||
搜索关键词: | 改进 内部 温度 分布 装置 | ||
【主权项】:
一种晶圆清洁工具,包括:加工室,被配置成容纳半导体晶圆;分配臂,被配置成为所述半导体晶圆提供高温清洁溶液;加热元件,被配置成在将所述高温清洁溶液提供给所述分配臂之前,增加所述高温清洁溶液的温度;以及加热杯,在所述加工室内设置在环绕所述半导体晶圆的周边的位置处,并且被配置成产生热,所述热使所述半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于所述半导体晶圆的中心的温度升高的量。
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