[发明专利]一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310167855.9 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367450A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黄如;谭斐;安霞;武唯康;冯慧 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、LDD区及隔离氧化层，其中，在体区的下表面和埋氧层的上表面之间，以及体区在宽度方向上的两个侧壁与隔离氧化层之间设置有U型保护层，沿着沟道的宽度方向形状成U型。本发明在体区中引入U型保护层，即使辐射使得在厚的埋氧层和隔离氧化层中陷入大量的电荷，重掺杂的U型保护层也很难发生反型。对于全耗尽SOI器件，由于埋氧上方存在重掺杂区，背面体区-埋氧层界面处的表面电势不容易受到辐射在埋氧中陷入的正电荷的影响，因此引入重掺杂的U型可以减小辐射对全耗尽SOI器件前栅阈值电压的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 加固 soi 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗辐射加固的SOI器件，所述SOI器件包括半导体衬底(3)、埋氧层(2)、体区(7)、栅区、源区和漏区(12)、栅侧墙(11)、LDD区(10)及隔离氧化层(5)，其特征在于，所述体区(7)位于埋氧层(2)上，所述源区和漏区(12)在埋氧层上且分别位于体区(7)的两侧，所述隔离氧化层(5)在埋氧层(2)上且位于四周；在体区(7)的下表面和埋氧层(2)的上表面之间，以及体区(7)在宽度方向上的两个侧壁与隔离氧化层(5)之间设置有U型保护层(6)，所述U型保护层(6)沿着沟道的宽度方向形状成U型。
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