[发明专利]碱土金属氧化物-聚合物抛光垫有效
| 申请号： | 201310168375.4 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103386653A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | D·B·詹姆斯;D·M·阿尔登;A·R·旺克 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24D3/00 | 分类号： | B24D3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种抛光垫，所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种。所述抛光垫包含聚合物基质，所述聚合物基质具有抛光表面。此外，聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上。所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理。含碱土金属氧化物区域分布在各聚合物微元件中，被分隔开，以覆盖聚合物微元件小于50%的外表面。 | ||
| 搜索关键词： | 碱土金属 氧化物 聚合物 抛光 | ||
【主权项】：
一种抛光垫，所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种，所述抛光垫包含：聚合物基质，所述聚合物基质具有抛光表面；聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理；以及分布在各聚合物微元件中的含碱土金属氧化物区域，所述含碱土金属氧化物区域被分隔开，以覆盖聚合物微元件小于50%的外表面；并且总量小于0.1重量%的聚合物微元件与以下组分相结合：i)粒度大于5μm的含碱土金属氧化物颗粒；ii)覆盖了聚合物微元件超过50%的外表面的含碱土金属氧化物区域；以及iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与含碱土金属氧化物颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm。
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