[发明专利]一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201310169076.2 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103241719A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 黄棣;魏延;郭美卿;王鹤峰;武晓刚;连小洁;王晓君;韩志军 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C01B25/32 | 分类号： | C01B25/32;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 030024 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列的制备方法，其步骤如下：(1)将经过清洗干净的基底材料浸入到热碱溶液中，热碱溶液处理一定时间后，取出基体材料并用去离子水清洗，烘干；(2)将烘干的基底材料浸入到钙盐溶液中，反应一定时间后取出，不经清洗直接烘干；(3)将再次烘干的基底材料垂直浸入到磷酸盐溶液中，在一定pH下，一定温度下保温一定时间，将基底材料取出用去离子水清洗，烘干，得到高度取向的纳米羟基磷灰石晶体阵列。本发明通过改变化学条件实现了纳米羟基磷灰石晶体阵列的形成及其结构控制，工艺稳定，成本低廉，能实现大规模生产。本发明在材料表面改性、生物信息检测及疾病诊断等领域具有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高度 取向 纳米 羟基 磷灰石 晶体 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列制备方法，其步骤如下：(1)将经过清洗干净的基底材料浸入到热碱溶液中，热碱溶液处理一定时间后，取出基底材料并用去离子水清洗，烘干；(2)将烘干的基底材料浸入到钙盐溶液中，反应一定时间后取出，不经清洗直接烘干；(3)将再次烘干的基底材料垂直浸入到磷酸盐溶液中，在一定pH下，一定温度下保温一定时间，将基底材料取出用去离子水清洗，烘干，得到高度取向的纳米羟基磷灰石晶体阵列。
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