[发明专利]PMOS晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种PMOS晶体管的制作方法，包括在衬底上形成栅极，在栅极周围形成单层牺牲侧墙，牺牲侧墙底部衬底被氧化形成氧化物；以牺牲侧墙为掩膜刻蚀牺牲侧墙两侧衬底，形成第一凹槽，第一凹槽表面暴露在空气中形成氧化物；湿法腐蚀去除第一凹槽表面的氧化物，刻蚀第一凹槽形成第二凹槽，第二凹槽部分开口在牺牲侧墙底部；去除部分厚度牺牲侧墙至第二凹槽开口边界，第二凹槽开口完全露出；在第二凹槽内形成第一半导体材料；在剩余牺牲侧墙之间衬底上形成第二半导体材料；去除在剩余牺牲侧墙，在所述栅极周围形成侧墙，以侧墙为掩膜对第一和第二半导体材料进行离子注入，形成源极和漏极。本发明方法可以提高形成的PMOS晶体管性能。

主权项

一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极，在所述栅极周围形成单层牺牲侧墙，所述牺牲侧墙底部的衬底被氧化形成氧化物；以所述牺牲侧墙为掩膜刻蚀牺牲侧墙两侧的衬底，形成第一凹槽，所述第一凹槽表面暴露在空气中形成氧化物；湿法腐蚀去除所述第一凹槽表面的氧化物，之后，刻蚀第一凹槽形成第二凹槽，所述第二凹槽的部分开口在所述牺牲侧墙的底部；去除部分厚度牺牲侧墙至所述第二凹槽的开口边界，使所述第二凹槽的开口完全露出；在所述第二凹槽内形成第一半导体材料；在剩余牺牲侧墙之间的衬底上形成第二半导体材料；去除剩余牺牲侧墙，在所述栅极周围形成侧墙，以所述侧墙为掩膜对第一半导体材料和第二半导体材料进行离子注入，形成源极和漏极。