[发明专利]具有多级互连的半导体器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。一个示例性的半导体器件包括衬底，该衬底包括分开源极和漏极（S/D）部件的栅极结构。该半导体器件进一步包括形成在衬底上方的第一介电层，该第一介电层包括与S/D部件电接触的第一互连结构。该半导体器件进一步包括形成在第一介电层上方的中间层，该中间层具有与第一互连结构基本上共面的顶面。该半导体器件进一步包括形成在中间层上方的第二介电层，该第二介电层包括与第一互连结构电接触的第二互连结构和与栅极结构电接触的第三互连结构。本发明还提供了一种具有多级互连的半导体器件及其形成方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括将源极和漏极（S/D）部件分隔开的栅极结构；第一介电层，形成在所述衬底上方，所述第一介电层包括与所述S/D部件电接触的第一互连结构；中间层，形成在所述第一介电层上方，所述中间层的底面与所述第一互连结构的顶面基本上共面；以及第二介电层，形成在所述中间层上方，所述第二介电层包括与所述第一互连结构电接触的第二互连结构和与所述栅极结构电接触的第三互连结构。