[发明专利]碳纳米管传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201310169628.X | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103592344A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 韩德俊;陈文飞 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管传感器及其制造方法，该碳纳米管传感器包括：基底；以及位于所述基底上的至少一个传感单元，其中各个传感单元包括：敏感区，所述敏感区由混合探针物质的碳纳米管构成；以及与所述敏感区的两端部连接的第一电极和第二电极；其中所述第一电极和所述第二电极被形成为与所述碳纳米管之间形成欧姆接触。本实施方式的碳纳米管传感器能够更精确地测量敏感区导电性能的变化，从而能够更精确地利用碳纳米管传感器实现检测。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管传感器，其特征在于，该传感器包括：基底；以及位于所述基底上的至少一个传感单元，其中各个传感单元包括：敏感区，所述敏感区由混合探针物质的碳纳米管构成；以及与所述敏感区的两端部连接的第一电极和第二电极；其中所述第一电极和所述第二电极被形成为与所述碳纳米管之间形成欧姆接触。
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