[发明专利]ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法在审
| 申请号： | 201310169847.8 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN104143760A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 魏志鹏;田珊珊;方铉;唐吉龙;李金华;方芳;楚学影;王晓华;王菲 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，该方法包括：硫钝化，与InP表面自体氧化物发生化学反应而清洗，并生成硫化物钝化膜，消除InP表面悬键并使InP表面与外界隔绝；对InP基片进行快速热退火，使In-S键更好的结合，并且去除InP表面多余的单质硫层；利用ALD沉积AlN薄膜，AlN薄膜将InP表面形成保护层，防止InP表面硫钝化层重新被氧化。本发明有效提高钝化质量，有效解决了硫钝化退化。 | ||
| 搜索关键词： | ald 制备 inp 半导体激光器 中的 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，其特征在于包括以下步骤：1）首先用丙酮、乙醇‑超声波对InP衬底进行标准清洗；2）之后将InP衬底在HF水溶液中浸泡1～2分钟；3）接着在沸腾的(NH4)2S水溶液（～60℃）中浸泡5～30分钟，然后用去离子水冲洗；4）用氮气吹干InP衬底并移入快速热退火炉中，对InP衬底进行快速热退火；5）原子层沉积反应室，在原位对InP衬底沉积AlN薄膜。
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