[发明专利]多晶硅的铸锭工艺无效
| 申请号： | 201310170316.0 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103233267A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 潘明翠 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了多晶硅的铸锭工艺，包括步骤S1：将硅料放置在铸锭炉内，将铸锭炉的炉温提升至第一温度，将铸锭炉的炉腔压力提升至第一压力；步骤S2：将铸锭炉的炉温由第一温度升高至第二温度，当硅料开始熔化时，将炉腔压力由第一压力降至第二压力，直至硅料全部熔为液态硅；步骤S3：对液态硅进行后处理。由于在硅料开始熔化时，将炉腔压力由第一压力降至第二压力，因而使得液态硅中的氧元素以氧化硅气体从液态硅中挥发，从而降低了铸锭后得到的多晶硅锭内的氧含量、提高了晶体少子寿命，进而提高了由多晶硅锭制成的太阳能电池片的转换效率。同时，本发明中的铸锭工艺具有工艺简单的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 铸锭 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅的铸锭工艺，其特征在于，包括：步骤S1：将硅料放置在铸锭炉内，将所述铸锭炉的炉温提升至第一温度，将所述铸锭炉的炉腔压力提升至第一压力；步骤S2：将所述铸锭炉的炉温由所述第一温度升高至第二温度，当所述硅料开始熔化时，将所述炉腔压力由所述第一压力降至第二压力，直至所述硅料全部熔为液态硅；步骤S3：对所述液态硅进行后处理。
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