[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310170328.3 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103390638B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 金柱然;徐光儒 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括形成在基板上且包括沟槽的层间绝缘膜；形成在沟槽中的栅绝缘膜；功函数调整膜，沿着沟槽的侧壁和底表面形成在沟槽中的栅绝缘膜上，并包括相对于沟槽的侧壁具有锐角的倾斜面；以及金属栅图案，形成在沟槽中的功函数调整膜上以填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；在所述基板上的包括沟槽的层间绝缘膜；栅绝缘膜，在所述沟槽中；功函数调整膜，在所述沟槽中且在所述栅绝缘膜上并且具有沿着所述沟槽的第一侧壁延伸的第一部分、沿着所述沟槽的第二侧壁延伸的第二部分和沿着所述沟槽的底表面延伸的第三部分，所述功函数调整膜的所述第一部分具有倾斜顶表面，该倾斜顶表面相对于所述沟槽的所述第一侧壁形成锐角；以及金属栅图案，在所述沟槽中且在所述功函数调整膜上，填充所述沟槽，其中所述功函数调整膜是第一功函数调整膜，所述倾斜顶表面是第一倾斜顶表面，所述锐角是第一锐角，所述半导体器件还包括在所述第一功函数调整膜上的第二功函数调整膜，其中所述第二功函数调整膜的顶表面在所述第一倾斜顶表面之下。
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