[发明专利]MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201310170482.0 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104143515B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干栅极结构，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的掺杂区，位于所述半导体衬底表面且覆盖所述栅极结构侧壁的第一介质层；形成覆盖所述栅极结构顶表面的金属盖帽层；形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第二介质层的顶表面与所述金属盖帽层的顶表面齐平；对所述金属盖帽层进行离子注入；刻蚀所述金属盖帽层，形成暴露出所述栅极结构顶表面的开口；在所述开口内形成绝缘盖帽层。本发明的MOS晶体管不存在接触体到栅极的短路。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干栅极结构，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的掺杂区，位于所述半导体衬底表面且覆盖所述栅极结构侧壁的第一介质层；形成覆盖所述栅极结构顶表面的金属盖帽层,所述金属盖帽层的材料为钴、镍、铂、硅、钨、钯、银和金中的一种或几种；形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第二介质层的顶表面与所述金属盖帽层的顶表面齐平；对所述金属盖帽层进行离子注入，所述注入离子为氟离子、氯离子和溴离子中的一种或几种；刻蚀所述金属盖帽层，形成暴露出所述栅极结构顶表面的开口；在所述开口内形成绝缘盖帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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