[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310173163.5 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103426911A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 小山弘美;椎木崇;福知辉洋;百田圣自;松井俊之 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金光军;常桂珍 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种尽可能地提高隔着表面的绝缘膜与金属电极接触的p型扩散区域的周边部的薄层电阻，且尽可能地减少成本上升，从而能够实现高反向恢复容量的半导体装置。半导体装置在n型的半导体基板（10）的一个主表面的表面层上具有p型扩散区域（1）和包围该p型扩散区域（1）的耐压区域（40），所述p型扩散区域（1）具有在表面覆盖有与表面进行欧姆接触的金属电极（7）的活性区域（30）和包围该活性区域（30）且在表面具备绝缘膜（3）的环状的周边部（2），并具有选择性地扩散的p型扩散区域延伸部（60），以提高该环状的周边部（2）的内周端与外周端之间的薄层电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，在第一导电型的半导体基板的一个主表面的表面层上具有矩形形状平面图案的第二导电型扩散区域和包围该第二导电型扩散区域的环状的耐压区域，所述第二导电型扩散区域具有在中央部分表面与金属电极进行欧姆接触的活性区域和包围该活性区域且在表面具备绝缘膜的环状的周边部，该周边部具有选择性地扩散的第二导电型扩散区域延伸部，以提高所述环状的周边部的内周端与外周端之间的薄层电阻。
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