[发明专利]介电组合物及应用该介电组合物的多层陶瓷电子元件无效
申请号: | 201310173187.0 | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN103964840A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 姜晟馨;李奇容;张澣娜;崔斗源;崔宰宪;宋旻星 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/47;C04B35/472;C04B35/465;C04B35/48;C04B35/49;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 王崇;刘国平 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种介电组合物以及应用该介电组合物的多层陶瓷电子元件,所述介电组合物含有介电粒子,该介电粒子具有以ABO3表示的钙钛矿结构,其中所述介电粒子含有基材和过渡元素TR,所述基材中至少一种稀土元素RE被固体溶解在A和B中的至少一种中,并且所述过渡元素与所述稀土元素的比率(TR/RE)为0.2-0.8。使用该介电组合物的多层陶瓷电容器可以有优良的可靠性和安全性高的介电常数。 | ||
搜索关键词: | 组合 应用 多层 陶瓷 电子元件 | ||
【主权项】:
一种介电组合物,该介电组合物含有:介电粒子,该介电粒子具有以ABO3表示的钙钛矿结构,其中,所述介电粒子含有基材和过渡元素TR,所述基材中至少一种稀土元素RE被固体溶解在A和B中的至少一种中,并且所述过渡元素与所述稀土元素的比率为0.2‑0.8。
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