[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201310173559.X | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN104157723B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 颜贤成;吴家宏;陈易聪;柯震宇;洪光辉;陈玄芳;欧乃天;黄桂武;童智圣 | 申请(专利权)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明是提供一种太阳能电池的制造方法,其包含进行一激光掺杂选择性射极(LDSE)制程,以及先移除磷玻璃层(PSG),再移除掺质残留层。借以改善传统太阳能电池的制造方法的缺失,及达到提升太阳能电池光电转换效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包含下列步骤:(1)提供一半导体基板,其为一第一型半导体,且具有一第一表面及一第二表面,其中该第一表面具有一金字塔微结构;(2)利用一掺质材料于该半导体基板的该第一表面上形成一掺质材料层,令使在该半导体基板的该第一表面内形成一第二型半导体层,该第二型半导体层具有一表面包含该金字塔微结构,且该掺质材料在该半导体基板的该第二表面内形成一掺质溢镀层,该掺质溢镀层的该掺质材料于该半导体基板的该第二表面内形成一掺质残留层;(3)进行一激光掺杂制程于该掺质材料层,形成多个选择性射极于该第二型半导体层中;(4)移除该掺质材料层及该掺质溢镀层,以暴露具有该些选择性射极的该第二型半导体层的该金字塔微结构及该掺质残留层;(5)利用一酸溶液酸化该掺质残留层,接着利用一碱溶液移除酸化的该掺质残留层,以暴露该半导体基板的该第二表面,同时利用该碱溶液使该第二型半导体层的该金字塔微结构具有一光滑表面,其中该酸溶液包含硫酸;(6)形成一抗反射层于该第二型半导体层上;以及(7)形成一电极于该抗反射层中,该电极是接触该第二型半导体层。
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