[发明专利]一种数字式自旋阀磁场传感器及其制备技术有效
申请号: | 201310173683.6 | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN103383441A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 王磊;蔡轲;赵春慧;陈煜远 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;H01L43/12;H01L43/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230000*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种用来测量磁场的低成本、高精度的传感器件,具体是涉及一种数字式自旋阀磁场传感器及其制备技术。基片上所采用的巨磁电阻自旋阀薄膜材料结构是由多层纳米量级厚度的巨磁电阻和隧道结自旋阀材料构成,其核心结构依次为缓冲层、反铁磁层、第一铁磁层、非磁性层、第二铁磁层和保护层,第一铁磁层呈厚度连续变化的楔形。本发明可以以较低的成本实现极高精度和稳定性的磁场大小探测,并具有极高的抗干扰性。并且光刻技术可以制备出极小的自旋阀磁场传感器单元,因此该技术方法可以通过对该单元大小和数量的控制实现极高的磁场测量的分辨率,即使在强磁场下也不会损坏,且外围电路简单,避免了由于电路复杂和信噪比等因素导致的测量误差。 | ||
搜索关键词: | 一种 数字式 自旋 磁场 传感器 及其 制备 技术 | ||
【主权项】:
一种数字式自旋阀磁场传感器,其特征在于,基片上所采用的巨磁电阻自旋阀薄膜材料结构是由多层纳米量级厚度的巨磁电阻和隧道结自旋阀材料构成,其核心结构依次为缓冲层、反铁磁层(4)、第一铁磁层(3)、非磁性层(2)、第二铁磁层(1)和保护层,所述第一铁磁层(3)呈厚度连续变化的楔形。
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