[发明专利]一种近红外光电硅材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310173942.5 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103268858A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈长水 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 宣国华 |
| 地址： | 510006 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近红外光电硅材料的制备方法，包括对晶体硅片重掺杂硫元素，将重掺杂硫元素的晶体硅片置于退火装置中采用电场辅助退火，退火电场的电压大小为不能击穿硅片，退火温度为550℃，退火时间为6个小时。该方法能阻碍晶体硅表面中重掺杂的硫元素在退火过程中硫元素的析出，使晶体硅表面重掺杂的硫元素层中硫元素保持较高浓度，并能提高近红外光电硅材料的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种近红外光电硅材料的制备方法，包括对晶体硅片重掺杂硫元素，其特征是：将重掺杂硫元素的晶体硅片置于退火装置中采用电场辅助退火，退火电场的电压大小为不能击穿硅片，退火温度为550℃，退火时间为6个小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
