[发明专利]溅射靶及氧化物半导体膜无效
| 申请号： | 201310176378.2 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103320755A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;矢野公规;宇都野太 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C04B35/453;C04B35/626 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射靶，其是含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物的溅射靶，其中，含有ZnGa2O4所示的化合物及InGaZnO4所示的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其中，含有InGaO3(ZnO)m所示的同系结构化合物及ZnGa2O4所示的尖晶石结构化合物，InGaO3(ZnO)m中，m为1～20的整数。
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