[发明专利]可挠透光基板及其制造方法在审
申请号: | 201310177210.3 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN104157666A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 黄建智;李鸿昇;简谷卫;黄有为;吴清沂 | 申请(专利权)人: | 北儒精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种可挠透光基板及其制造方法,该可挠透光基板包含:一个由可挠性材料制成且包括一个设置面的透光基材、一个配置于该透光基材的设置面上且其材料为氮化硅或硅碳氮化合物的缓冲膜,以及一个配置于该缓冲膜上且其材料为碳氢化合物的类钻碳膜。通过该缓冲膜能稳固地结合该透光基材与该类钻碳膜,并且通过该类钻碳膜优异的疏水效果,进而使得该可挠透光基板的表面容易清洁而不易累积污垢。此外,该类钻碳膜具有优异的抗刮性,不易因碰撞而产生磨损或伤痕,因此将该可挠透光基板封装成显示器模组时,所述显示器模组可维持良好的影像品质。 | ||
搜索关键词: | 透光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种可挠透光基板,包含一个由可挠性材料制成的透光基材;其特征在于:该透光基材包括一个设置面,而该可挠透光基板还包含一个配置于该透光基材的设置面上且其材料为氮化硅或硅碳氮化合物的缓冲膜,以及一个配置于该缓冲膜上且其材料为碳氢化合物并具有疏水性的类钻碳膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的