[发明专利]铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法在审
| 申请号： | 201310177527.7 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104152999A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘莹;许桂生;刘锦峰;杨丹凤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法，其为钙钛矿结构，化学式为(KxNa1-x)1-yLiy(Nb1-zMz)O3，其中M表示过渡金属元素，0<x<1，0<y<1，0<z<1。所述方法包括：称取原料粉末和助熔剂并混合；将起始料放入坩埚中；在500～1100℃保温3～20h，升温至1000～1300℃，保温2～20h使起始料熔化，然后坩埚以0.1～1.2mm/h的速度下降结晶，完毕冷却到室温得到铌酸钾钠锂基无铅压电单晶。本发明首次采用添加助熔剂的坩埚下降法实现了过渡金属掺杂的铌酸钾钠锂基无铅压电晶体的生长，且所得晶体为纯的钙钛矿结构，无其他杂相，并具有很好的压电和铁电性能。另本发明的工艺简单，具有烧结温度较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸钾钠锂基无铅 压电 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种铌酸钾钠锂基无铅压电单晶，其特征在于所述铌酸钾钠锂基无铅压电单晶为钙钛矿结构，掺杂有过渡金属，其化学式为(KxNa1‑x)1‑yLiy(Nb1‑zMz)O3，其中M表示过渡金属元素，0<x<1，0<y<1，0<z<1，优选地，0.4≤x≤0.6，0<y≤0.4，0<z≤0.2，更优选地x=0.5，0.05≤y≤0.1，0.005≤z≤0.015。
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