[发明专利]一种版图结构、暗像素结构及其形成方法在审
申请号: | 201310177580.7 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103337502A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 顾学强;周伟;张向莉 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种版图结构、暗像素结构及其形成方法,该暗像素结构包括位于感光器件的上方两侧的接触孔,位于接触孔上方的第一金属层,位于第一金属层上方的通孔,以及通孔上方的第二金属层,第二金属层含有衬垫层,在第二金属层的衬垫层上方设有填充有金属的通孔槽,在通孔槽的上方设有带有开槽的顶层金属层,通孔槽位于开槽的下方的四周。本发明通过衬垫层将通孔槽的底部挡住,由于通孔槽内填充有金属以及衬垫层材料为金属,穿过开槽进入通孔槽的光线被通孔槽和第二金属层的衬垫层挡住,入射光不能进入感光器件,从而形成不漏光的暗像素。 | ||
搜索关键词: | 一种 版图 结构 像素 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成暗像素结构的版图结构,其特征在于,包括:带有开槽图形的顶层金属层图案的第一版图,带有通孔槽图形的第二版图,带有第二金属层图形的第三版图,所述第一、第二和第三版图依次从上到下相互配合以形成暗像素结构的版图结构;其中,所述第一版图的开槽图形位于所述第二版图的通孔槽图形内边缘围成的图形的上方,所述第三版图的第二金属层图形位于所述第二版图的通孔槽图形的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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