[发明专利]从半导体器件去除膜的方法

摘要

本发明实施例提供了一种形成半导体器件的方法、一种形成MRAM器件的方法以及一种形成半导体器件的方法。一个实施例是一种形成半导体器件的方法，该方法包括在第一层上方形成第二层，和对第二层实施第一蚀刻工艺以限定部件，其中第一蚀刻工艺在部件的表面上形成膜。该方法进一步包括对部件实施离子束蚀刻工艺，其中离子束蚀刻工艺从部件的表面去除膜。本发明还公开了一种从半导体器件去除膜的方法。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在导电的底部电极上方形成磁隧道结；在所述磁隧道结上直接形成具有第一宽度的导电的顶部电极；对所述磁隧道结实施第一蚀刻工艺以图案化所述磁隧道结以具有所述第一宽度，其中所述第一蚀刻工艺在所述磁隧道结和所述顶部电极的表面上形成膜；以及对所述磁隧道结和所述顶部电极实施离子束蚀刻工艺，所述离子束蚀刻工艺从所述磁隧道结和所述顶部电极的表面去除所述膜，其中，去除所述膜后，所述磁隧道结和所述顶部电极分别具有第二宽度和第三宽度，所述第二宽度和所述第三宽度小于所述第一宽度，所述第三宽度小于所述第二宽度。