[发明专利]四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法有效
| 申请号： | 201310178543.8 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104152997B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;刘莹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00;H01L41/187 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法，其化学式为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPb(In1/2Nb1/2)O3‑zBiAlO3‑(1‑x‑y‑z)PbTiO3，其中0﹤x﹤1，0﹤y﹤1，0﹤z﹤1且x+y+z﹤1。生长方法为：称取除铅之外的氧化物原料，在高温下预烧；将预烧后的物料与铅的氧化物混合压块；然后在500～1250℃下保温3～20h，继续升高温度至1340～1410℃，保温3～15h，使起始料全部熔化，以0.1～1.2mm/h速度下降逐渐结晶，界面温度梯度为20～100℃/cm；生长完毕，以10～300℃/h速度冷却到室温。本发明的方法可根据需要生长不同取向、不同形状和不同尺寸的压电晶体，具有工艺设备简单、操作方便、一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。 | ||
| 搜索关键词： | 四元系弛豫型 压电 材料 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种四元系弛豫型压电单晶材料，其特征在于所述压电单晶材料的化学式为0.20Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.39Pb(In1/2Nb1/2)O3‑0.12BiAlO3‑0.29PbTiO3；所述压电单晶材料的生长方法为坩埚下降法，具体包括如下步骤：步骤A) 按0.20Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.39Pb(In1/2Nb1/2)O3‑0.12BiAlO3‑0.29PbTiO3的化学计量比称取MgO、Nb2O5、In2O3、TiO2、Bi2O3和Al2O3，混合均匀成粉末，然后在900～1250℃的温度下预烧2～20h；步骤B) 将步骤A)预烧后的物料与按化学计量比称取的铅的氧化物混合均匀，压成块体得晶体生长用起始料；步骤C) 将晶体生长用起始料装入放有籽晶的坩埚中，将坩埚置入下降炉内；步骤D) 在500～1250℃温度下保温3～20h，继续升高温度至1340～1410℃，保温3～15h，使晶体生长用起始料全部熔化，并使籽晶的顶部熔化，然后坩埚以0.1～1.2mm/h速度下降，逐渐结晶生长成为晶体，生长界面的温度梯度为30℃/cm；步骤E) 待晶体生长完毕，以10～300℃/h的速度冷却到室温，得到四元系弛豫型压电单晶材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310178543.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
