[发明专利]模拟开关控制电路结构有效
| 申请号： | 201310178864.8 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103312309A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 夏虎;徐栋;严淼;罗先才;朱立群;张蓉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种模拟开关控制电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括传输门PMOS场效应管（P1）、传输门NMOS场效应管（N1）、负电压产生电路模块、第一反相器电路模块、第二反相器电路模块、PMOS衬底栅极控制电路模块和NMOS衬底栅极控制电路模块。采用该种模拟开关控制电路结构，可以传输负电平信号，能够控制传输门中PMOS管和NMOS管的栅极电位，电源断电时PMOS管和NMOS管关闭，对于输入信号为正电平或负电平的情况，输入信号都不能传输到输出端，通过传输门衬底电位控制电路，控制PMOS管和NMOS管的寄生二极管不会导通；通过栅极电位控制电路，使得电源断电时，PMOS管和NMOS管不会开启，结构简单实用，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 开关 控制电路 结构 | ||
【主权项】：
一种模拟开关控制电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括传输门PMOS场效应管（P1）、传输门NMOS场效应管（N1）、负电压产生电路模块、第一反相器电路模块、第二反相器电路模块、PMOS衬底栅极控制电路模块和NMOS衬底栅极控制电路模块，所述的传输门PMOS场效应管（P1）的源极和传输门NMOS场效应管（N1）的源极均与模拟信号输入端相连接，所述的传输门PMOS场效应管（P1）的漏极和传输门NMOS场效应管（N1）的漏极均与模拟信号输出端相连接，所述的传输门PMOS场效应管（P1）的衬底和栅极分别与所述的PMOS衬底栅极控制电路模块相连接，所述的传输门NMOS场效应管（N1）的衬底和栅极分别与所述的NMOS衬底栅极控制电路模块相连接，所述的负电压产生电路模块的输入端分别与电源电压（VDD）和地（GND）相连接，该负电压产生电路模块的输出端（VEE）和电源电压（VDD）均分别与所述的第一反相器电路模块的输入端、第二反相器电路模块的输入端、PMOS衬底栅极控制电路模块的输入端和NMOS衬底栅极控制电路模块的输入端相连接，该第一反相器电路模块的输出端与所述的PMOS衬底栅极控制电路模块的输入端相连接，且该第二反相器电路模块的输出端与所述的NMOS衬底栅极控制电路模块的输入端相连接，所述的第一反相器电路模块的输入端还与模拟开关控制端（CP）相连接，且该第一反相器电路模块的输出端还与该第二反相器电路模块的输入端相连接。
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