[发明专利]叠层薄膜背面钝化的太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310179373.5 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN103311340A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 张勇 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种叠层薄膜背面钝化的太阳能电池及其制备方法,叠层薄膜背面钝化的太阳能电池包括P型晶体硅衬底、正面钝化层、正面电极层、氢化非晶硅层、背面电极层、背面电场层以及具有负的固定电荷的金属氧化物层,P型晶体硅衬底具有一正面和一背面,正面钝化层沉积在P型晶体硅衬底的正面上,正面电极层位于正面钝化层的上表面上,氢化非晶硅层沉积在P型晶体硅衬底的背面上,金属氧化物层沉积在氢化非晶硅层的下表面上,背面电极层位于金属氧化物层的下表面上,背面电场层位于背面电极层的下表面上。本发明能够提高P型晶体硅背面的钝化效果,减少背面缺陷态密度,提高其电池转换效率,而且容易在低温下制备。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 背面 钝化 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种叠层薄膜背面钝化的太阳能电池,其特征在于,它包括:一P型晶体硅衬底(1),其具有一正面和一背面;一正面钝化层(2),沉积在P型晶体硅衬底(1)的正面上;一正面电极层(3),位于正面钝化层(2)的上表面上;一氢化非晶硅层(4),沉积在P型晶体硅衬底(1)的背面上;一具有负的固定电荷的金属氧化物层(5),沉积在氢化非晶硅层(4)的下表面上;一背面电极层(6),位于金属氧化物层(5)的下表面上;一背面电场层(7),位于背面电极层(6)的下表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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