[发明专利]一种增强金属铜与NDC界面结合强度的方法有效
| 申请号： | 201310179587.2 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104157603B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，至少包括以下步骤1）于低k介质层中形成通孔结构，于所述通孔结构填充金属铜；2）于所述低k介质层及金属铜表面形成C9H27NSi3薄层；3）通入C9H27NSi3气体及He并进行等离子体处理，使所述C9H27NSi3薄层及C9H27NSi3气体与He反应，于所述低k介质层及金属铜表面形成富Si的SiCN层；4）对所述富Si的SiCN层进行N等离子体处理，使所述富Si的SiCN层中的Si与N反应，形成富SiN的SiCN层；5）于所述富SiN的SiCN层表面形成NDC层。本发明采用C9H27NSi3与He反应形成富Si的SiCN层，然后通过N等离子体处理形成富SiN的SiCN层，可以有效增强金属铜与NDC界面结合，并不会与金属铜反应形成合金，有效提高了器件的性能。本发明工艺步骤简单，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 金属 ndc 界面 结合 强度 方法 | ||
【主权项】：
一种增强金属铜与NDC界面结合强度的方法，所述NDC为氮掺杂的碳化硅，其特征在于，至少包括以下步骤：1)于低k介质层中形成通孔结构，于所述通孔结构填充金属铜；2)于所述低k介质层及金属铜表面形成C9H27NSi3薄层；3)通入C9H27NSi3气体及He并进行等离子体处理，使所述C9H27NSi3薄层及C9H27NSi3气体与He反应，于所述低k介质层及金属铜表面形成富Si的SiCN层；4)对所述富Si的SiCN层进行N等离子体处理，使所述富Si的SiCN层中的Si与N反应，形成富SiN的SiCN层；5)于所述富SiN的SiCN层表面形成NDC层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310179587.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：闪存存储器的制备方法
- 下一篇：晶圆缺陷扫描方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
