[发明专利]基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片有效
| 申请号： | 201310180693.2 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103257124A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王卓然;袁国慧;高亮 | 申请（专利权）人： | 成都谱视科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 610041 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，其特征在于，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响，同时引入狭缝光波导结构，使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间，其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度，光与物质相互作用更强，使检测灵敏度更高，检测难度进一步降低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 狭缝 波导 光栅 fp 光学 生化 传感 芯片 | ||
【主权项】：
基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，其特征在于，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。
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