[发明专利]片状结构、片状结构的制造方法及电子器件有效
| 申请号： | 201310181339.1 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103426842A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 山口佳孝;作山诚树;水野义博;岩井大介;崎田幸惠;乘松正明;浅野高治;广濑真一;八木下洋平 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/433 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金鹏;陈昌柏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种片状结构、片状结构的制造方法及电子器件。该片状结构具有：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间。所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。本发明能够提供一种具有热传导均匀的平面的片状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 片状 结构 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
一种片状结构，包括：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间；其中，所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310181339.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于低品位白钨综合回收的浮选装置
- 下一篇：高压静电分离装置
