[发明专利]一种具有导电性能的复合陶瓷层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310181678.X 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN103233227A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 徐晋勇;石小超;蒋占四;张应红;高鹏;唐亮;高成;周逸群;刘栋 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C23C28/04 分类号: C23C28/04
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 杨雪梅
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种具有导电性能的复合陶瓷层的制备方法,先对轻金属(Al、Mg、Ti)试样表面进行清洗前处理,再采用微弧氧化技术制备一层陶瓷层,在陶瓷层上采用磁控溅射技术沉积氮化钛涂层,形成轻金属基体及陶瓷层和氮化钛涂层的复合陶瓷层,通过微弧氧化与磁控溅射技术相结合的方法,使复合陶瓷层具有导电功能,且导电率大、耐磨性和耐蚀性好、膜基结合力强。能够满足现有轻金属作为电路接线盒既要具有耐磨性、耐蚀性,又要具有导电性的要求。
搜索关键词: 一种 具有 导电 性能 复合 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种具有导电性能的复合陶瓷层的制备方法,其特征是:包括以下步骤:(1)将基材经冷加工处理,在其上切取试样;(2)对切取的试样表面进行前处理:砂纸打磨→自来水清洗→丙酮清洗→去离子水清洗→吹干;(3)放置到微弧氧化装置中进行微弧氧化处理,制备一层陶瓷层;(4)将微弧氧化后的试样进行超声波清洗;(5)在磁控溅射装置中沉积氮化钛涂层,实现复合陶瓷层具有导电性能;(6)清洗并干燥,获得具有导电性能的复合陶瓷层。
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