[发明专利]一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀的方法有效
| 申请号： | 201310182205.1 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103311131A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;张文奇;于大全 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微凸点的形成方法，包括：s1、在半导体基底上形成焊盘；s2、在焊盘及半导体基底表面形成介质层，所述的介质层上开设有窗口，所述的窗口与焊盘对应；s3、在介质层及焊盘的表面形成种子层；s4、在所述种子层表面电镀形成微凸点；s5、在微凸点周围一定距离内的种子层上形成阻挡层；s6、刻蚀未被阻挡层覆盖的种子层；s7、回流焊料。本发明提出通过在微凸点周围的种子层上覆盖一层刻蚀阻挡层，这样在进行种子层刻蚀时，可以保护其下面的种子层免受刻蚀，从而防止出现侧向钻蚀的现象。提高微凸点加工制造的可靠性和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微凸点 制造 过程 防止 侧向 钻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀的方法，其特征在于，包括：s1、在半导体基底上形成焊盘；s2、在焊盘及半导体基底表面形成介质层，所述的介质层上开设有窗口，所述的窗口与焊盘对应；s3、在介质层及焊盘的表面形成种子层；s4、在所述种子层表面电镀形成微凸点；s5、在微凸点周围一定距离内的种子层上形成阻挡层,所述的一定距离满足：经步骤s6的刻蚀后，种子层的端部恰好与微凸点的边缘对齐或位于微凸点的外部；s6、刻蚀未被阻挡层覆盖的种子层；s7、回流焊料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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