[发明专利]半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法有效
申请号: | 201310182377.9 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN103424981A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 深谷创一;中川秀夫;笹本纮平 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构,至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外,半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此,将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻,能够以高精度进行图案转印。 | ||
搜索关键词: | 色调 相移 坯料 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半色调相移掩模坯料,其特征在于,在半色调相移膜上设置有单层结构或多层结构的遮光膜,所述遮光膜具备至少一层由铬系材料构成的层,所述由铬系材料构成的层中的至少一层由含有锡的铬系材料构成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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