[发明专利]形成间隔物图案掩模的方法有效
| 申请号： | 201310183224.6 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104167348B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了形成间隔物图案掩模的方法，包括提供衬底并依次沉积界面层、芯膜和第一硬掩模；对芯膜和第一硬掩模进行图案化以形成中间图案；沉积间隔物图案掩模，以覆盖中间图案中的芯膜和第一硬掩模；以中间图案中的第一硬掩模为停止层对间隔物图案掩模进行平坦化；对平坦化后的间隔物图案掩模进行回刻蚀；沉积第二硬掩模；对第二硬掩模进行干法刻蚀，以露出回刻蚀后的间隔物图案掩模；对露出的间隔物图案掩模进行干法刻蚀，以形成间隔物图案；依次去除剩下的第一硬掩模和第二硬掩模和芯膜，得到最终的间隔物图案掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 间隔 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种形成间隔物图案掩模的方法，包括下列步骤：提供衬底并在衬底上依次沉积界面层、芯膜和第一硬掩模；对芯膜和第一硬掩模进行图案化以形成中间图案，在该中间图案中芯膜和第一硬掩模的条宽根据最终的间隔物图案掩模之间的间隔来确定；沉积间隔物图案掩模，以覆盖中间图案中的芯膜和第一硬掩模；以中间图案中的第一硬掩模为停止层对间隔物图案掩模进行平坦化；对平坦化后的间隔物图案掩模进行回刻蚀，使得回刻蚀后的间隔物图案掩模低于中间图案中的第一硬掩模的底部或与中间图案中的第一硬掩模的底部齐平，回刻蚀的量根据最终的间隔物图案掩模的宽度来确定，在回刻蚀期间，中间图案中的芯膜和第一硬掩模不被刻蚀；沉积第二硬掩模；对第二硬掩模进行干法刻蚀，以露出回刻蚀后的间隔物图案掩模，剩下的第二硬掩模之间的间隔根据最终的间隔物图案掩模之间的间隔来确定；对露出的间隔物图案掩模进行干法刻蚀，以形成间隔物图案；去除剩下的第一硬掩模和第二硬掩模；以及去除中间图案中的芯膜，从而得到最终的间隔物图案掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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