[发明专利]一种等离子体处理腔室及其基台有效
| 申请号： | 201310183299.4 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104167344B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 左涛涛;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体处理腔室及其基台，其中基片被夹持于所述基台中的静电卡盘之上，所述静电卡盘下方还包括若干冷却液通道，所述基台包括第一绝缘层，所述第一绝缘层中内嵌有夹持电极，在所述第一绝缘层以下包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层中内嵌有加热装置，其中，所述第二绝缘层以下设置有散热层，在所述散热层以下设置有粘接层，所述粘结层中间区域较边缘区域厚，在所述粘接层的边缘区域下方设置有补偿层。本发明能够提供均一的热平衡系统，保证静电夹盘和基片的温度均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 及其 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理腔室的基台，其中基片被夹持于所述基台中的静电卡盘之上，所述静电卡盘下方还包括若干冷却液通道，所述基台包括第一绝缘层，所述第一绝缘层中内嵌有夹持电极，在所述第一绝缘层以下包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层中内嵌有加热装置，其特征在于：所述第二绝缘层以下设置有散热层，在所述散热层以下设置有粘结层，所述粘结层中间区域较边缘区域厚，在所述粘结层的边缘区域下方设置有补偿层。
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