[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310184773.5 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104167357B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括在衬底中形成栅极沟槽；在栅极沟槽侧壁形成多种材料构成的栅极侧墙堆叠；在栅极沟槽底部以及栅极侧墙堆叠侧壁形成栅极堆叠。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过多次形成硬掩模以及相应的刻蚀，制造了多种不同材料的侧墙叠层，有效提高了沟槽栅极器件的绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底中形成栅极沟槽；在栅极沟槽侧壁形成多种材料构成的栅极侧墙堆叠，形成栅极侧墙堆叠的步骤进一步包括：在栅极沟槽底部以及侧壁形成第一栅极侧墙材料层；在第一栅极侧墙材料层侧壁形成第二栅极侧墙；选择性去除第一栅极侧墙材料层，形成空气隙构成的第一栅极侧墙；在第二栅极侧墙侧壁形成第三栅极侧墙；以及在栅极沟槽底部以及栅极侧墙堆叠侧壁形成栅极堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
