[发明专利]用于高电压应用的静电放电保护有效

专利信息
申请号: 201310186668.5 申请日: 2013-05-20
公开(公告)号: CN103427408B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 单毅;赖大伟;M·G·普拉布 申请(专利权)人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟,王锦阳
地址: 新加坡,*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于高电压应用的静电放电保护,所述静电放电模块包含耦合于第一源极以及第二源极间的静电释放电路。触发电路也包含于该静电释放模块中,其可激活该静电释放电路以提供于该第一及第二源极间的低电阻电流路径。该触发电路包含位于该第一源极以及该静电释放电路间或该第二源极以及主要静电释放电路间的反向二极管。该触发电路可提供用于激活该静电释放电路的低触发电压。
搜索关键词: 用于 电压 应用 静电 放电 保护
【主权项】:
一种静电释放模块,包括:静电释放电路,耦合于第一源极以及第二源极之间,其中,该静电释放电路是以硅控整流器(SCR)为基础的静电释放电路,该静电释放电路具有带有第一及第二双极性晶体管的寄生电路,该第一双极性晶体管包含第一集极、第一基极及第一射极,该第二双极性晶体管包含第二集极、第二基极及第二射极,该以硅控整流器为基础的静电释放电路包括具有宽度及长度方向的静电释放区域,其在装置区域中具有第一极性种类掺杂物的第一静电释放阱,在装置区域中具有第二极性种类掺杂物的第二静电释放阱,其中,该第一及第二静电释放阱于该宽度方向毗邻,在该第一静电释放阱中的第一、第二及第三第一静电释放接触,其中,该第一及第三第一静电释放接触包含该第一极性种类掺杂物,且该第二第一静电释放接触包含该第二极性种类掺杂物,在该第二静电释放阱中的第一、第二及第三第二静电释放接触,其中,该第一及第三第二静电释放接触包含该第二极性种类掺杂物,且该第二第二静电释放接触包含该第一极性种类掺杂物,且其中,该第一及第二第一静电释放接触及该第一及第二第二静电释放接触延伸于该装置区域的完全宽度,且该第三第一静电释放接触及该第三第二静电释放接触从该装置区域的相反侧延伸于该装置区域的部分宽度;以及触发电路,用于激活该静电释放电路,以在该第一及第二源极间提供低电阻电流路径,该触发电路包括:第一触发器,位于该第一源极以及该静电释放电路的寄生电路的第一双极性晶体管的第一集极之间,其中,该第一集极为该第一静电释放阱;第二触发器,位于该第二源极以及该静电释放电路的寄生电路的第二双极性晶体管的第二集极之间,其中,该第二集极为该第二静电释放阱,且其中,该触发电路提供低触发电压,以激活该静电释放电路。
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