[发明专利]射频LDMOS器件的边缘隔离结构及制造方法有效
| 申请号： | 201310187583.9 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104167432B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 马彪;周正良;遇寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS器件边缘隔离优化结构，在大功率器件中，由于较大的栅宽导致的漏电，在边缘进行隔离时，将源极金属层向漏极金属层与隔离环区交界的区域延伸，利用源极金属层的接地，将漏极金属层与隔离环进行屏蔽，防止漏极金属中较高的电压导致隔离环区反型而产生漏电，方法简单易于实施且效果良好。本发明还公开了所述射频LDMOS器件边缘隔离优化结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 器件 边缘 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件边缘隔离结构，P型掺杂隔离环区环绕包围有源区；在有源区中，多个源区和漏区交替间隔排列，且源区和漏区之间的沟道区上具有多晶硅栅极，源区上覆盖第一金属层并通过接触孔相互连接，漏区上具有第二金属层并通过接触孔相互连接，第二金属层跨过隔离环区，将漏极引出隔离环区之外，所述的边缘隔离结构，其特征在于：连接源区的第一金属层向第二金属层将漏极引出的引出方向上延伸，并位于隔离环区与第二金属层之间，且相邻的第一金属层连接在一起，将隔离环区与第二金属层隔离。
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