[发明专利]多层衬底有效
| 申请号： | 201310187908.3 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103996671B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 林隆世;杨富雄;黄坤铭;林明毅;褚伯韬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/20;H01L29/06;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是多层衬底。集成电路的衬底包括具有原载流子浓度的器件晶圆和设置在器件晶圆上方的外延层。外延层具有第一载流子浓度。第一载流子浓度高于原载流子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 衬底 | ||
【主权项】：
一种集成电路的衬底，包括：器件晶圆，具有原载流子浓度；以及第一外延层，设置在所述器件晶圆的上方，所述第一外延层具有第一载流子浓度，其中，所述第一载流子浓度高于所述原载流子浓度，所述第一载流子浓度是所述原载流子浓度的1.25倍到2.25倍。
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