[发明专利]金属框多层线路基板先镀后蚀工艺方法有效
申请号: | 201310188048.5 | 申请日: | 2013-05-20 |
公开(公告)号: | CN103311132A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 陈灵芝;王新潮;梁新夫;梁志忠 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
地址: | 214434 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种金属框多层线路基板先镀后蚀工艺方法,所述方法包括以下步骤:取金属基板;金属基板表面镀铜箔;贴光阻膜作业;金属基板背面去除部分光阻膜;电镀第一金属线路层;贴光阻膜作业;金属基板背面去除部分光阻膜;电镀第二金属线路层;去除光阻膜;贴压不导电胶膜作业;研磨不导电胶膜;不导电胶膜表面金属化预处理;电镀第三金属线路层;贴光阻膜作业;金属基板背面去除部分光阻膜;电镀第四金属线路层;微型蚀刻;贴光阻膜作业;金属基板背面去除部分光阻膜;电镀第五金属线路层;去除光阻膜;环氧树脂塑封;研磨环氧树脂表面;贴光阻膜作业;金属基板正面去除部分光阻膜;蚀刻作业;去除光阻膜;电镀金属层。 | ||
搜索关键词: | 金属 多层 线路 基板先镀后蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种金属框多层线路基板先镀后蚀工艺方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面镀铜箔步骤三、贴光阻膜作业在步骤二完成镀铜箔的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板背面后续需要进行第一金属线路层电镀的区域图形;步骤五、电镀第一金属线路层在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上第一金属线路层;步骤六、贴光阻膜作业在步骤五中金属基板背面贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板背面后续需要进行第二金属线路层电镀的区域图形;步骤八、电镀第二金属线路层在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上第二金属线路层用以连接第一金属线路层与第三金属线路层的导电柱子;步骤九、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜;步骤十、贴压不导电胶膜作业在金属基板背面贴压一层不导电胶膜;步骤十一、研磨不导电胶膜在完成步骤十不导电胶膜贴压后进行表面研磨表面;步骤十二、不导电胶膜表面金属化预处理对不导电胶膜表面进行金属化预处理;步骤十三、电镀第三金属线路层在金属化预处理后的不导电胶膜表面进行第三金属线路层的电镀;步骤十四、贴光阻膜作业在步骤十三的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤十五、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十四完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形;步骤十六、电镀第四金属线路层在步骤十五完成光阻膜的开窗之后所呈现的金属材料区域镀上第四金属线路层;步骤十七、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜;步骤十八、微型蚀刻在步骤十七的金属基板背面利用微蚀刻技术对第三金属线路层进行蚀刻;步骤十九、贴光阻膜作业在步骤十八的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤二十、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十九完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形;步骤二十一、电镀第五金属线路层在步骤二十完成光阻膜的开窗之后所呈现的金属材料区域镀上第五金属线路层;步骤二十二、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜;步骤二十三、环氧树脂移转注塑成型在步骤二十二的金属基板背面进行环氧树脂移转注塑成型工作;步骤二十四、研磨环氧树脂表面在步骤二十三完成环氧树脂移转注塑成型后进行表面研磨;步骤二十五、贴光阻膜作业在步骤二十四的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤二十六、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤二十五完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域图形;步骤二十七、蚀刻作业在完成光阻膜开窗后的区域进行蚀刻作业;步骤二十八、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜;步骤二十九、电镀金属层在完成光阻膜的剥除之后,对所有金属表面进行电镀金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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