[发明专利]阻变存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310188800.6 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103515532B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 吴在敏 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够实现多电平单元（MLC）的阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括下电极，与开关器件连接，并且包括形成在下电极的顶部上的第一节点和第二节点以分隔开固定的间隔；相变材料图案，形成在第一节点和第二节点上；上电极，形成在相变材料图案上；导电材料层，形成在上电极的顶部和外侧壁上；第一接触插塞，形成在上电极的一个边缘，以与上电极和导电材料层连接；以及第二接触插塞，形成在上电极的另一个边缘，以与上电极和导电材料层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器件，其特征在于，所述阻变存储器件包括：下电极，所述下电极与开关器件连接，并且包括形成在所述下电极的顶部上的第一节点和第二节点，所述第一节点和第二节点分隔开固定的间隔；相变材料图案，所述相变材料图案形成在所述第一节点和所述第二节点上；上电极，所述上电极形成在所述相变材料图案上；导电材料层，所述导电材料层形成在所述上电极的顶部和外侧壁上；第一接触插塞，所述第一接触插塞形成在所述上电极的顶部的一个边缘，以与所述上电极和所述导电材料层连接；以及第二接触插塞，所述第二接触插塞形成在所述上电极的顶部的另一个边缘，以与所述上电极和所述导电材料层连接。
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