[发明专利]一种硅片RIE制绒后的处理方法有效
申请号: | 201310188957.9 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN103280396A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;陆川;仇展炜 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种硅片RIE制绒后的处理方法,包括如下步骤:对RIE制绒后的硅片进行水洗;采用第一酸性溶液对所述硅片进行第一次酸性清洗;对所述硅片进行水洗;采用第二酸性溶液对所述硅片进行第二次酸性清洗;对所述硅片进行水洗;对所述硅片进行喷淋;对所述硅片进行热水慢拉;对所述硅片进行烘干和/或甩干。采用本发明的方法对RIE制绒后的硅片进行处理可以在不增加额外化学物质的情况下,高效去除硅片表面制绒后的反应残留物质,提高后续产品的合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 rie 制绒后 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种硅片RIE制绒后的处理方法,其中,包括如下步骤:a)对RIE制绒后的硅片进行水洗;b)采用第一酸性溶液对所述硅片进行第一次酸性清洗;c)对所述硅片进行水洗;d)采用第二酸性溶液对所述硅片进行第二次酸性清洗;e)对所述硅片进行水洗;h)对所述硅片进行烘干和/或甩干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江正泰太阳能科技有限公司,未经浙江正泰太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310188957.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造