[发明专利]半导体元件镀膜制程方法无效
| 申请号： | 201310189074.X | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103258773A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 单立伟 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；2）对晶元进行雷射隐形切割；3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；4）背镀氧化层或金属层；5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；6）劈裂。本发明方法，通过增加将晶元粘附、键合于一坚固基板上的工序，解决了现有技术在隐形切割后仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，且易破片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下： 1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄； 2）对晶元进行雷射隐形切割； 3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上； 4）背镀氧化层或金属层； 5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离； 6）劈裂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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