[发明专利]后道工序(BEOL)互连方案有效
| 申请号： | 201310190400.9 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103996652B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 郭启良;郭子骏;李香寰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成后道工序金属互连层的方法。通过在半导体衬底上沉积一个或多个自组装单层以限定金属互连层区域来实施该方法。在金属互连层区域内的半导体衬底上形成具有多个金属结构的金属互连层。然后，在多个金属结构之间的区域中的半导体衬底的表面上形成层间介电层。本发明还公开了后道工序互连方案。 | ||
| 搜索关键词： | 工序 beol 互连 方案 | ||
【主权项】：
一种形成金属后道工序互连层的方法，包括：在半导体衬底上沉积一个或多个自组装单层以限定金属互连层区域，其中，沉积所述一个或多个自组装单层包括：在位于所述半导体衬底上的第一层间介电层上选择性地沉积第一自组装单层(SAM)；在位于所述半导体衬底上的第一金属互连层上选择性地沉积第二自组装单层(SAM)；将所述半导体衬底选择性地暴露于紫外辐射图案，其中所述紫外辐射图案降解所述第一自组装单层的一部分或所述第二自组装单层的一部分；以及去除所述第一自组装单层或所述第二自组装单层的被降解部分以形成所述金属互连层区域；在所述金属互连层区域内的半导体衬底上选择性地沉积包括多个金属结构的第二金属互连层；以及在所述多个金属结构之间的区域中的半导体衬底上沉积第二层间介电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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