[发明专利]一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法有效

专利信息
申请号: 201310191038.7 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN103267939A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 崔昊杨;李志锋;许永鹏;曾俊冬;唐忠;杨俊杰;汤乃云;朱武;陈琳 申请(专利权)人: 上海电力学院;中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根
地址: 200090 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法,采用超快脉冲激光照射光伏型碲镉汞薄膜探测器,探测器输出信号呈现脉冲形式的光伏响应信号,数字存储示波器采集并储存光伏信号,探测器光伏响应信号为一个峰值时,为欧姆电极;当探测器光伏响应信号存在两个峰值时,判断电极界面存在肖特基接触,第一个光伏峰值由电极界面肖特基接触形成,第二个光伏峰值由pn结形成,分别计算肖特基接触形成和pn结形成的脉冲光伏的峰值,判断电极质量。是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法,适合于衡量器件的实际性能,对于研究碲镉汞的界面效应,发展有关碲镉汞界面的理论,以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
搜索关键词: 一种 检测 光伏型碲镉汞 红外探测器 电极 质量 方法
【主权项】:
一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法,其特征在于,采用超快脉冲激光照射光伏型碲镉汞薄膜探测器,探测器输出信号呈现脉冲形式的光伏响应信号,数字存储示波器采集并储存光伏信号,探测器光伏响应信号为一个峰值时,为欧姆电极;当探测器光伏响应信号存在两个峰值时,判断电极界面存在肖特基接触,第一个光伏峰值由电极界面肖特基接触形成,第二个光伏峰值由pn结形成,分别计算肖特基接触形成和pn结形成的脉冲光伏的峰值,判断电极质量。
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