[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

公开一种非易失性存储器件及其制造方法。非易失性存储器件包括半导体衬底，其包括沿第一方向延伸的多个有源区和沿与第一方向垂直的方向从多个有源区的每个有源区突出的第一柱体对。漏极选择线沿与第一方向垂直的第二方向延伸。漏极选择线对包围第一柱体对中的每个柱体。第二柱体对中的每个第二柱体布置在第一柱体对中的相应第一柱体之上且由半导体材料形成。多个字线和源极选择线沿第二方向延伸且形成包围第二柱体对和沿其长度延伸的叠层。源极线形成在第二柱体对之上且与其连接。源极线沿第二方向延伸。漏极接触形成在多个有源区的每个有源区的除了漏极选择线对之间区域以外的两侧。位线形成在漏极接触之上且与其连接，位线沿第一方向延伸。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括沿第一方向延伸的多个有源区，以及从所述多个有源区中的每个有源区突出的第一柱体对；漏极选择线对，所述漏极选择线对沿与所述第一方向相交叉的第二方向延伸，其中，所述漏极选择线对中的每个漏极选择线包围所述第一柱体对中的每个第一柱体；第二柱体对，其中，所述第二柱体对中的每个第二柱体布置在所述第一柱体对中的相应的第一柱体之上，并且由半导体材料形成；多个字线和源极选择线，所述多个字线和所述源极选择线沿第二方向延伸，并且形成包围所述第二柱体对且沿着所述第二柱体对的长度来层叠的层叠结构；源极线，所述源极线形成在所述第二柱体对之上且与所述第二柱体对连接，所述源极线沿所述第二方向延伸；漏极接触，所述漏极接触在所述多个有源区中的每个有源区之上、形成在所述漏极选择线对的除了所述漏极选择线对中的每个漏极选择线之间区域以外的两侧处；以及位线，所述位线形成在所述漏极接触之上并且与所述漏极接触连接，所述位线沿所述第一方向延伸。