[发明专利]半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201310192035.5 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103426884A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 杨广军;罗素·班森 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及制备方法，该半导体装置包含一基材、一字元线、一绝缘材料，以及一蚀刻停止材料。基材包含一柱体，且该柱体包含一有源区。字元线形成于基材上。绝缘材料形成于字元线上。蚀刻停止材料形成于绝缘材料上并围绕着柱体。蚀刻停止材料可在蚀刻工艺中保护绝缘材料，而可避免发生短路或降低装置性能等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一基材，包含一柱体，该柱体包含一有源区；一字元线，形成于该基材上；一绝缘材料，形成于该字元线上；以及一蚀刻停止材料，形成于该绝缘材料上并围绕着该柱体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
