[发明专利]一种正方形引线的二极管的烧结模具及烧结方法有效
| 申请号： | 201310192808.X | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103236408A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王培祥;戚涛;邵亦军;孙菲;朱海涛 | 申请（专利权）人： | 济南晶恒电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/50 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 章艳荣 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正方形引线的二极管的烧结模具及烧结方法，本发明包括基座和上定位块，基座和上定位块上至少有一个二极管模腔，二极管模腔包括依次连通的下矩形槽、二级阶梯圆柱孔和上矩形槽，下矩形槽设置在基座上，下矩形槽与下正方形引线的接线端相匹配，二级阶梯圆柱孔与玻壳和露在玻壳外的下正方形引线的圆柱电极相匹配，上矩形槽用于容纳露在玻壳外的上正方形引线。本发明正方形引线的二极管的烧结方法采用前述烧结模具。本发明模具能保两个圆柱电极露出玻壳的长度基本相同，使得烧结后二极管的密封性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正方形 引线 二极管 烧结 模具 方法 | ||
【主权项】：
一种正方形引线的二极管的烧结模具，其特征在于：包括基座和上定位块，基座和上定位块上至少有一个二极管模腔，二极管模腔包括依次连通的下矩形槽、二级阶梯圆柱孔和上矩形槽，下矩形槽设置在基座上，下矩形槽与下正方形引线的接线端相匹配，二级阶梯圆柱孔和上矩形槽均设置在上定位块上，二级阶梯圆柱孔的小端朝下，二级阶梯圆柱孔与玻壳和露在玻壳外的下正方形引线的圆柱电极相匹配，上矩形槽用于容纳露在玻壳外的上正方形引线，上定位块由通过其上的二级阶梯圆柱孔的轴向中心截面的面分割成至少两部分，每个二级阶梯圆柱孔和上矩形槽位于上定位块的两个部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
