[发明专利]双镶嵌式金属栅极有效
| 申请号： | 201310193011.1 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103928337A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰;萧文助;周樱旻;葛翔翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于制造双镶嵌式金属栅极的方法包括在衬底上形成伪栅极，在衬底和伪栅极上沉积保护层，在伪栅极的侧面上生长扩展层。该方法进一步包括去除保护层，在伪栅极周围形成隔离件以及沉积和平坦化介电层。该方法进一步包括选择性地去除扩展层和去除伪栅极。本发明还提供了一种双镶嵌式金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 金属 栅极 | ||
【主权项】：
一种制造金属栅极的方法，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极；在所述衬底上和所述伪栅极的顶部上沉积保护层；在所述伪栅极的侧面上生长扩展层；去除所述保护层；在所述伪栅极和所述扩展层周围形成隔离件；在所述隔离件周围沉积介电层并将所述介电层平坦化；去除所述扩展层；以及去除所述伪栅极。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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