[发明专利]阵列基板、其制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 201310193797.7 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103295961A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/28;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阵列基板、其制造方法及显示装置，涉及液晶显示技术领域，解决了现有技术制造阵列基板时为了降低普通掩膜板使用数量而采用半透掩膜板或灰阶掩膜板导致的工艺控制难度增加的问题。该方法包括：在基板上形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极和栅线的图案；在形成有栅极和栅线图案的基板上依次形成绝缘层、半导体材料层和源/漏金属层，通过构图工艺形成包括半导体层、源/漏电极和数据线的图案，其中源/漏电极的图案与半导体层的图案一致；在形成有半导体层、源/漏电极和数据线图案的基板上形成第一透明导电层，通过构图工艺形成第一透明电极的图案，并在源/漏电极的图案上形成间隙以形成源极和漏极的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极和栅线的图案；在形成有所述栅极和所述栅线图案的基板上依次形成绝缘层、半导体材料层和源/漏金属层，通过构图工艺形成包括半导体层、源/漏电极和数据线的图案，其中所述源/漏电极的图案与所述半导体层的图案一致；在形成有所述半导体层、源/漏电极和数据线图案的基板上形成第一透明导电层，通过构图工艺形成第一透明电极的图案，并在所述源/漏电极的图案上形成间隙以形成源极和漏极的图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310193797.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：扇出晶圆级半导体芯片三维堆叠封装结构及工艺
- 下一篇：芯片的绑定设备和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
