[发明专利]注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310194265.5 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103280460A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 韩成功 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310012 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管，包括P型硅衬底；位于P型硅衬底中的深N阱；位于深N阱中的水平方向且掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。本发明还提供一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管的制造方法，包括提供P型硅衬底；向P型硅衬底中注入N型杂质，以扩散形成深N阱；沿深N阱中的水平方向分别注入不同掺杂浓度的P型杂质，在深N阱的水平方向中依次扩散形成掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。本发明通过用多重漂移区的组合作为高压PMOS的漂移区，使不同的漂移区中的P型杂质注入叠加在高压PMOS的漂移区中可以形成更好的浓度梯度，以使高压PMOS获得更好的击穿电压与导通电阻的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 形成 具有 叠加 漂移 高压 pmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管，其特征在于，包括：P型硅衬底；位于所述P型硅衬底中的深N阱；位于所述深N阱中的水平方向且掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。
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